Mayeyə batırma litoqrafiyası

Mayeyə batırma litoqrafiyas və ya immersiya litoqrafiyası (ing. Immersion lithography) – yarımkeçiricilərin istehsalında fotolitoqrafiya prosesinin ayırdetmə qabiliyyətini və dəqiqliyini artırmaq üçün istifadə olunan bir texnikadır. Bu proses işığa məruzqalma zamanı linza ilə yarımkeçirici boşqab arasında maye mühitdən (adətən sudan) istifadəni nəzərdə tutur. Havanın sındırma əmsalından daha yüksək sındırma əmsalına malik olan mayedən istifadə etməklə, immersiya litoqrafiyası lövhə üzərində daha kiçik detalların yaradılmasına imkan verir.[1]
Mayeyə batırma litoqrafiyası sonuncu linza ilə lövhə səthi arasındakı adi hava boşluğunu sındırma əmsalı birdən böyük olan maye mühitlə əvəz edir. Bunun sayəsində bucaq ayırdetmə qabiliyyəti həmin mayenin sındırma əmsalına bərabər olan əmsal qədər artır. Hazırkı batırma litoqrafiyası alətləri bu maye üçün yüksək dərəcədə təmizlənmiş sudan istifadə edir və 45 nanometrdən aşağı ölçülü detalların əldə edilməsinə imkan yaradır.[2]
İstinadlar
[redaktə | vikimətni redaktə et]- ↑ Flagello, Donis. "Benefits and limitations of immersion lithography". Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS (ingilis). 3 (1). 1 yanvar 2004: 104. Bibcode:2004JMM&M...3..104M. doi:10.1117/1.1636768. ISSN 1932-5150.
- ↑ "DailyTech - IDF09 Intel Demonstrates First 22nm Chips Discusses Die Shrink Roadmap". 28 avqust 2010 tarixində orijinalından arxivləşdirilib. İstifadə tarixi: 7 dekabr 2009.