Nadir Abdullayev (alim)

Vikipediya, azad ensiklopediya
Jump to navigation Jump to search
Nadir
Allahverdi oğlu Abdullayev
Nadir Abdullayev fizik.jpg
Doğum tarixi 1 noyabr 1955(1955-11-01) (64 yaş)
Doğum yeri Azərbaycan Bakı
Vətəndaşlığı Azərbaycan
Milliyyəti Azərbaycanlı
Elm sahəsi Fizika
Elmi dərəcəsi Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru
Elmi adı laboratoriya rəhbəri
İş yeri AMEA Fizika İnstitutu
Alma-mater Moskva Dövlət Universiteti
Təhsili Ali

Həyatı[redaktə | əsas redaktə]

Abdullayev Nadir Allahverdi oğlu 01 noyabr 1955 ildə Bakida anadan olub. 1979 ilde Moskva Dövlət Universitetinin fizika fakultəsini bitirib.1979-1981 illər hərbi gulluğunu çəkib.1981 ildə AMEA Fizika İnstitutuna kiçik elmi işçi kimi gəbul olunub.1985 ildə " Laylı kristalların istilikdən genişlənməsinin xüsusiyyətləri"mövzusunda namizdəlik dissertasiyasını müdafiə edib.2010 ildə "Güclüanizotrop kristallarda fonon proseslərinin və yükdaşıyıcıların lokallaşma effektlərinin xüsusiyyətləri" mövzusunda doktorluq dissertasiyasını müdfiə edib. 2015 ildə laboratoriya rəhbəri vəzifəsinə seçilib.

  • Elmi əsərlərinin sayı-135
  • Xaricdə dərc olunan əsərlərinin sayı-50-dən çox
  • Beynəlxalq bazalarda indeksləşən jurnallarda (Web of Science, Scopus və s.) dərc olunan əsərlərinin sayı -41
  • Kadr hazırlığı-3
  • Elmi-pedaqoji fəaliyyəti-4

Əsas elmi nailiyyətləri[redaktə | əsas redaktə]

Klassik laylı kristalda – qrafitdə lay müstəvisində mənfi istilikdən genişlənmənin və istilikkeçirilməsində "istilik anomaliyasının" "membran" effekti əsasında izahı verilmişdir. GaS, GaSe, InSe, TlGaSe2 və b. laylı kristalarda lay müstəvisində mənfi istilikdən genişlənməsi aşkar olunub və izahı verilib.

TlGaSe2 və TlInS2 kristalların istilikdən genişlənməsinə xarici şüalanmanın və tətbiq olunan elektrik sahənin təsirindən istilik xassələrində elektron altsisteminin mühüm rolu müəyyən edilmişdir.

Bir sıra laylı kristallarda (yarımkeçiricilərdə, yarımmetallarda və metallarda) geniş temperatur intervalda 0,3-300К və güclü magnit sahələrdə 8Tl-qədər laylar boyunca və perpendikulyar istiqamətdə yükdaşıyıcıların köçürülmə xüsusiyyətləri tədqiq olunub. Alınan nəticələr lokallaşma hallar üzrə sıcrayış keçiricilik, zəif lokallaşma və zəif antilokallaşma effektləri nəzəri almaqla izah olunub.

Bir sıra nazik təbəqəli strukturlar (Bi2Te2,7Se0,3, InAs0,56Sb0,44 və s.) alınıb və onlarda bəzi fiziki prosseslər (rentgen difraksiyası, raman səpilməsi, elektron microscopiyası, spektal ellipsometriya, elektrik və qalvanomaqnit effektlər və s. ) öyrənilib.

Əsas elmi əsərləri[redaktə | əsas redaktə]

1. G.L.Belenki, E.Yu.Salaev, R.A.Suleimanov and N.A.Abdullaev. The nature of temperature dependence of energy gaps in layer semiconductors. Solid State Commun., 47, 263 (1983).

2. Г.Л. Беленький, Р.А. Сулейманов, Н.А. Абдуллаев,

В.Я. Штейншрайбер. Тепловое расширение слоистых кристаллов. Модель Лифшица. Физика твёрдого тела, 26, 3560 (1984).

3. Г.Л. Беленький, Н.А. Абдуллаев, В.Н. Зверев, В.Я. Штейншрайбер. Природа анизотропии проводимости и особенности локализации электронов в слоистом селениде индия. Письма в ЖЭТФ, 47, 498 (1988).

4. Н.А. Абдуллаев. Параметры Грюнайзена в слоистых кристаллах. Физика твёрдого тела, 43, 697 (2001).

5. Н.А. Абдуллаев. Особенности упругих свойств слоистых кристаллов. Физика твёрдого тела, 48, 623 (2006).

İstinadlar[redaktə | əsas redaktə]

http://www.science.gov.az/forms/doktora-nauk-instituta-fiziki/2598