Teymur Tağıyev

Vikipediya, azad ensiklopediya
Jump to navigation Jump to search

Teymur Bəhmən oğlu Tağıyev — Azərbaycan alimi, f.r.e.n, dosent.[1]

Həyatı[redaktə | əsas redaktə]

Teymur Tağıyev 28 mart 1955-ci ildə Azərbaycan SSRİ Tərtər (kecmiş Mirbəşir rayonu) rayonunun Kəngərli kəndində qulluqçu ailəsində anadan olmuşdur. 1970-ci ildə Kəngərli 8-illik,  1972-ci ildə Qardağlı  kənd orta məktəbini, 1977-ci ildə  Azərbaycan Pedaqoji Universltetinin  (kecmiş V.İ.Lenin adına APİ) Ümumi texniki fənlər və fizika fakültəsini müvəffəqiyyətlə bitirmişdir.1977-1980-ci illərdə Tərtər rayonunun Kəngərli kəndində müəllim vəzifəsində calışmışdır. 1980-1982-ci illərdə  sovet ordusunda hərbi xidmətində olmuşdur.  1985-ci ildən Radiasiya Problemləri İnstitutunda çalışır.

1985-1991-ci illər AMEA Radiasiya Prоblemləri Sektоrunda mühəndis, 1991-2000-ci illər kicik elmi işçi vəzifəsində  işləmişdir. 1999- cu ildə “Laylı GaTe monokristalının elektrik və fotoelektrik  xassələrinə ionlaşdırıcı şüaların təsiri” mövzusunda dissertasiya müdafiə edərək yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası üzrə fizika-riyaziyyat elmləri namizədi alimlik dərəcəsini almışdır. 2000-2002-ci illər elmi işci, 2002-2007-ci illər  böyük elmi işçi, 2007-ci ildən aparıcı elmi işçi vəzifəsində çalışır.

Əsas elmi fəaliyyəti[redaktə | əsas redaktə]

Teymur Tağıyevin elmi fəaliyyəti A3B6 (GaSe, GaS, GaTe) birləşməli yarımkeçiricilərin və onların bərk məhlullarının fiziki xassələrinin aşqar atomları (Nadir torpaq elementləri) və ionlaşdırıcı (inteqral elektron seli və γ -şüaları) şüaların təsirinin tədqiqinə həsr olunmuşdur.

Beynəlxalq və yerli layihələrin yerinə yetrilməsində iştirak edib, qarşıya qoyulan problemləri müvəffəqiyyətlə həll etmək bacarığına malikdir.

Teymur Tağıyev aldığı  təcrübi nəticələrin əsasında elektron proseslərin mexanizmini vermiş, ionlaşdırıcı şüaları qeyd etmək ücün dedektorların hazırlanmasına dair praktiki təklif vermiş və aldığı elmi nəticələr xarici və yerli jurnallarda çap оlunmuşdur.  O, 2006-cı ildə Azərbaycan Prezidenti yanında Ali Attestasiya Komissiyasının qərarı ilə “Yüksək enerjilər fizikası” ixtisası üzrə dosent elmi adı almışdır.

Əsas tədqiqatların nəticələri olaraq Teymur Tağıyevin 65 elmi əsəri (məqalə və tezislər şəklində) və 2 müəlliflik şəhadətnaməsi müxtəlif xarici və yerli nəşrlərdə çap olunmuşdur.

Əsas elmi əsərləri[redaktə | əsas redaktə]

1. Pashayev A.M. GadjievA.R. Tagiyev T.B. Abbasova T.M.   Hopping conductivy ty in GaSe monocryctals at low temperatures. // J. Semiconductor Physics, Quantum and Optoelectronics, Kyiv 2001, v.4, №4, p.5-9

2. Madatov R.S. Gabulov I.A. Tagiyev T.B. Abbasova T.M. Injection currents in lameller crystals of gallium telluride.  // J. Semiconductor Physics, Quantum and Optoelectronics, Kyiv 2003, v.6, №3, p.278-281

3. Мадатов Р.С.  Наджафов А.И.   Тагиев Т.Б. Шекили Ш.П. Инжекционный ток в облученных слоистых монокристаллах сульфида галлия. // AMEA xəbərləri fizika-riyaziyyat elmləri seriyası, fizika  və astranomiyа. №5, s.78-82

4. Madatov R.S. Tagiyev B.G. Shekili Sh.P. Najafov A.I. Kabulov I.A. Optical and fotoelectrical properties of lamellar gallium sulfide single crus-tals irradiated by qamma-quanta  // J. Semiconductor Physics, Quantum and Optoelectronics, Kyiv 2006, v.  №2,v.9, p.8-10

5. Мадатов Р.С. Т.Б.Тагиев,  Абушов С.А.. Шекили Ш.П. Мобили А.Р. Оптические и фотоэлек-трические свойства слоистых монокристаллы GaS:Er, облученных гамма –квантами Неорганические материалы. 2008,т.44, №4, с.396-399.

6. Мадатов Р.С. Т.Б.Тагиев. Мобили А.Р. Наджафов А.И   Влияние гамма излучения на электропроводность слоистого монокристалла GaS   Неорганические материалы. 2008. т.44, №2,с.1-4

7. Мадатов Р.С. Наджафов А.И. Т. Б.Тагиев, Газанфаров М.Р. Особенности механизма токопрохождения в монокристаллахTlInSe2. AMEA xəbərləri fizika-riyaziyyat elmləri seriyası, fizika  və astrano-miya. 2010. №2. s.100-105.

8. Abbasov Sh.M. Nuriyev I.R.   Agaverdiyeva G.T. Тагиев Т.Б.    Kerimova T.I.  Ismayilova G.T. The influence of irradiaton by electrons and qamma= quanta on photoelectrical and optical properties of epitaxial Pb1-xMnxTe film. J. Semiconductor Physics, Quantum and Optoelectronics, Kyiv,2007, v.10, №2, p.26-28

9. Исмаилов А.А. Ахмедзаде Н.Д. Тагиев Т.Б. Ширинов М.М. Абасов Ф.П. Влияние гамма и электронного облучений на волтьамперные характеристики монокристаллов селениде галлия. Ж. Физика, 2008, т.14 №3, с.76-77

10. Мадатов Р.С.  Наджафов А.И. Т.Б.Тагиев, Газанфаров М. Р.  Механизм  токопрохождения в монокристаллах TlInSe2 при сильных электрических  полях.  Ж.  Электронная  Обработка  Материалов. 2010, №5, с.115-119.

11. Taghiyev T.B.  Fotoconductivity and photoluminrscence features of    γ  -irradiated GaS0.75Se0.25<Er> singler crystals. // J. Semiconductor Physics, Quantum and Optoelectronics, 2011, v.14, №3, p.362-364

12. Мадатов Р.С. Наджафов А.И Газанфаров М.Р. Тагиев Т.Б. Мехрабова М А Влияние ионизирующего излучения на механизм токопрохождения в монокристаллах TlInSe Ж. ФТТ, 2011, том 53,вып.11, с.2097-2011

13. A.R.Hajiyev, T.B.Tagiyev  Physical properties of (InSb)1-x(HgTe)xsolid solutions Azerbaijan journal of physics. Vol.X1X, Num.2, 2013, p.81-8

14. Т.Б.Тагиев.  Зависимость стационарного фототока монокристаллов  GaS0,75Se0,25(Er) от температур  и γ-излучения  Azərbaycan Texniki Universiteti   Elmi Əsərləri c.2, N2, 2013, 65-67.

15. М.A.Mehrabova, H.R.Nuriyev T.B.Tagiyev.  Impact of γ-irradiation on structure and electrophysical properties of GdMnTe.   International Journal of Materials Science and Applications. 2014, 3(6-1), 20-23

İstinad[redaktə | əsas redaktə]

  1. http://www.science.gov.az/forms/doktora-filosofii-instituta-radiatsionnyih--problem/2152