Qurban Əhmədov: Redaktələr arasındakı fərq

Vikipediya saytından
Naviqasiyaya keç Axtarışa keç
Silinən məzmun Əlavə edilmiş məzmun
Yeni səhifə: {{vikiləşdirmək}} {{Alim |Adı = QURBAN ƏHMƏDOV |Orijinal adı = Qurban Müzamiddin oğlu Əhmədov |Şəkil = Qurban.png |şəkil...
(Fərq yoxdur)

01:44, 29 oktyabr 2014 tarixinə olan versiya

Qurban Əhmədov
Doğum tarixi 20 iyun 1960(1960-06-20) (64 yaş)
Doğum yeri

Əhmədov Qurban Müzamiddin oğlu — fizika və riyaziyyat üzrə fəlsəfə doktoru, Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası Fizika İnstitutu, aparıcı elmi işçi, dosent.

Həyatı

Əhmədov Qurban Müzamiddin oğlu 20 iyun 1960-cı il Azərbacan Respublikası Balakən rayonu Katex kəndində anadan olmuşdur.

Əhmədov Qurban Müzamiddin oğlu 1982-ci ildə Bakı Dövlət Universitetinin fizika fakültəsini bitirmişdir və 1985-ci ildən AMEA Fizika İnstitutunda fəaliyyətə başlamışdır. 1985-1989-cu illərdə Fizika İnstitutunun aspiranturasında qiyabi təhsil almışdır. 1992-ci ildə namizədlik dissertasiyasını müdafıə etmişdir. 2000-ci ildən böyük elmi işçi vəzifəsində işləyir. İşlədiyi müddətdə o, laboratoriyada Bi2Te3 – Bi2Se3 nazik təbəqələrinin alınması və onların tədqiqi ilə məşğuldur. Əhmədovun aldığı nazik təbəqələr termofotovoltaik çeviricilər, infraqırmızı sensorlar timsalında praktik əhəmiyyət kəsb edir. Fizika İnstitutunda çalışdığı müddət ərzində 62 məqalə nəşr etdirmiş, 4 patent alınmışdır. Son 5 il ərzində Əhmədovun aldığı elmi nəticələr 7 beynəlxalq və 9 yerli jurnallarda dərc olunmuşdur. Dərc olunan beynəlxalq jurnallar sırasında nüfuzlu «Физика и техника полупроводников», «Неорганические материалы», «American Journal of Physics and Applications», «International Journal of Materials Science and Applications» jurnalları vardır.



Əsas elmi əsərləri

  1. Investigations of mathematical models in solar collectors American Journal of Energy Engineering 2014; 2(3): 75-79 Published online April 30, 2014 (http://www.sciencepublishinggroup.com/j/ajee) doi: 10.11648/j.ajee.20140203.11
  2. Vismut tellurid kristallarının əsasında p-n heterokeçidinin yaradılma üsulu. Patent. İxtira. İ 2012 0022. 29.02.2012
  3. Phase formation in bite nanofilms and crystallization

of Bi2Te3 (Se3) nanothickness amorphous film. Scientifik Israel – technological advantages, Vol.14, 2012, No.4 s.85-94

  1. Termoelementlərin termik möhkəmliyi təyini eksperimentlərində verilənlərin emalı. Azərbaycan TN, AMİU Elmi əsərləri,Bakı 2012, N.1, c. 83-87
  2. Kinetic of phase transformations of Bi2Se3 nano-thickness films. Scientifik Israel – technological advantages, Vol.13, 2011, No.4 s.57-62
  3. Günəş şüalanması və termoelektrik çeviricilərdə yüksək texnologiyaların tətbiqi. Azərbaycan TN, AMİU Elmi əsərləri, Bakı 2011, N.2, c. 138-144
  4. Fotovoltaik effektə malik çeviricilərdə yüksək texnologiyaların tətbiq perspektivləri. ATU elmi əsərləri, 2011, N1, s.49-54
  5. Аморфные и микрокристаллические полупроводники. Сборник трудов VII Международной конференции, Санкт-Петербург 28 июня-1 июля 2010г. c.53-55
  6. Kinetics of Bi2Те3 (Se3) nanothick amorphous film crystallization. ХI Международная конференция по физике твердого тела, Усть-Каменогорск 9-12 июня 2010г. c.7-11
  7. Termofotovoltaik qurğu. Patent, İxtira, İ 2009 0148, 04.08.2009
  8. Образование фаз в нанотолщинных пленках системы Bi-Те и кинетика кристаллизации аморфного Bi2Те3. РСНЭ-НБИК Москва 2009, тезисы докладов, 16-21 ноября 2009
  9. Кристаллизация аморфных пленок Bi2S3. Неорганические материалы, 2008, том 44, №11, с.1-2
  10. Фазовый состав пленок системы Bi-S формирование Bi2S3 с различной субструктурой.ФТП, 2008, том 42, вып.2, с. 129-130
  11. Silicon solar elements with covering Nd2O3 and ZnS + Nd2O3. Journal of Solar engineering, 1994, 1, p.14-16

İstinadlar