Şəmistan Həsənli
| Şəmistan Həsənli | |
|---|---|
| Şəmistan Mahmud oğlu Həsənli | |
| Doğum tarixi | 15 dekabr 1938 (85 yaş) |
| Doğum yeri | |
| Milliyyəti | azərbaycanlı |
| Elm sahələri |
energetika elektrofizika yarımkeçiricilər fizikası |
| Elmi dərəcəsi | fizika-riyaziyyat elmləri doktoru |
| Elmi adı | professor |
| İş yeri | |
| Təhsili | Leninqrad Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsi |
| Elmi rəhbəri | prof. D.N.Nasledov |
Həsənli Şəmistan Mahmud oğlu (15 dekabr 1938, Yuxarı Qoşakilsə, Lüksemburq rayonu) — azərbaycanlı fizik, fizika-riyaziyyat elmləri doktoru.
Həyatı
[redaktə | mənbəni redaktə et]Şəmistan Həsənli 15 dekabr 1938-ci ildə Gürcüstan SSR-in Bolnisi rayonunun Qoşakilsə kəndində anadan olmuşdur.[1] 1957-1962-ci illərdə Leninqrad Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsində təhsil almışdır. İlk əmək fəaliyyətini Leninqrad "Morfizpribor" İnstitutunda başlamış və orada sovet hərbi sualtı qayıqlarının idarəedici qurğularının yaradılmasında fəal iştirak etmişdir. Aspirant hazırlığını Leninqrad A.F.İoffe adına Fizika-Texnika İnstitutunun Dövlət və Lenin mükafatı laureatı prof. D.N. Nasledovun rəhbərlik etdiyi "Elektron yarımkeçiriciləri" laboratoriyasında keçmişdir. 1971-ci ildə dissertasiya müdafiə etmiş, fizika-riyaziyyat elmləri namizədi elmi dərəcəsinə layiq görülmüşdür. 1971-1990-cı illərdə Leninqrad Politexnik Universitetinin "Polimerlər və dielektriklər Fizikası" kafedrasında pedaqoji fəaliyyətlə bərabər elmi tədqiqat işləri ilə də məşğul olmuşdur. Hazırda AMEA-nın Fizika İnstitutunda aparıcı elmi işçi vəzifəsində işləyir. Onun rəhbərliyi altında iki aspirant və iki dissertant fizika üzrə fəlsəfə doktoru (PHD) elmi dərəcəsi almışdırlar. 1997-2010-cu illərdə İran İslam Respublikasının Təbriz Universitetinin Fizika fakültəsinin əməkdaşları ilə birgə elmi tədqiqat işləri aparmışdır və bu günə qədər də həmin işlər davam edir. Ailəlidir, 2 övladı var.
Elmi fəaliyyəti
[redaktə | mənbəni redaktə et]- Metal-dielektrik (SiO2)- yarımkeçirici (Si)(MDY)- strukturlarının texnologiyası işlənmiş və n-p tipli MDY - strukturlarının inversiya kanallarında keçiricilik mexanizmi tədqiq edilmişdir. Göstərilmişdir ki, MDY - strukturlarının inversiya kanallarında (n-p-tip) yükdaşıyıcıların yürüklüyü Si monokristalındakı yükdaşıyıcıların yürüklüyündən 2-3 dəfə azdır.
- Metal oksidləri Cr2O3, SiO2, NiO2, Bi2O3 Sb2O3 və s. ilə aşqarlanmış ZnO keramikasının sintez texnologiyası işlənmiş və müxtəlif açılma gərginliyə (250-500) V malik qeyri-xətti müqavimətlər (varistorlar) sintez edilmişdir. Onların əsasında yüksək ifrat gərginlikdən qoruyucu qurğularda istifadə edilməsi təklif edilmişdir. Onların əsasında yüksək ifrat gərginliklərdən qoruyucu qurğularda istifadə edilməsi təklif edilmişdir. Varistorun sintez texnologiyası patentləşdirilmişdir.
- Aşqarlı ZnO keramikası, yarımkeçiricilər (Si, GaAs, İnAs) və polyar, qeyri polyar polimerlər əsaslı nazik təbəqəli kompozitlərin sintez texnlogiyası işlənmiş və qeyri-xətti müqavimətlər (varistorlar) sintez edilmişdir. Disperqatorların və polimerlərin həcmi faizini variasiya edərək açılma gərginlikləri (1-30) V intervalında dəyişən varistorlar sintez edilmişdir. Həmin varistorları energetikanın müxtəlif sahələrində tətbiq etmək olar. Həmçinin kompozitlərdə yükdaşınma mexanizmi də ətraflı tətqiq edilmişdir. O cümlədən, göstərilmişdir ki, yüksək temperatur oblastında tələlərdən yükdaşıyıcıların sıçrayış mexanizmidir.
- (CuİnSe2)1-x(MeSe2)x Me=(Mn,Fe,Co) bərk məhlulları və polimer əsaslı nazik təbəqəli maqnit kompozitləri sintez edilmiş, geniş temperatur intervalında (100-300) K onların maqnit parametrləri tədqiq edilmiş və temperaturun T>200K qiymətində maqnit kompozitində maqnit faza keçidi müşahidə edilmişdir. Həmçinin maqnit müqavimətinin maqnit sahəsindən asılılığı tədqiq edilmiş və maqnit kompozitlərində mənfi və müsbət maqnit müqavimətlərinin mövcudluğu aşkar edilmişdir. Alınmış nəticələr mikroelektronikanın müxtəlif sahələrində tətbiq edilə bilər. O cümlədən, maqnit yaddaş elementi, maqnit sahəsinin qeydedicisi, rəqs konturlarında içlik, nazik təbəqəli maqnit sahəsinin qeydedicisi və s.
140-dan yuxarı elmi əsərlərin, o cümlədən patentlərin, elmi məqalələrin müəllifidir.
2014-cü ildə AMEA-nın Fəxri Fərmanı ilə təltif edilib. 2016-cı ildə AMEA Fizika İnstitutunun Fəxri Fərmanı ilə təltif edilib.