Elmira Kərimova

Vikipediya, açıq ensiklopediya
Keçid et: naviqasiya, axtar
Elmira Kərimova
Elmira Kərimova alim.jpeg
Doğum tarixi: 1 yanvar 1941 (1941-01-01) (76 yaş)
Doğum yeri: Goronboy rayonu, Qızılhacılı kəndi
Vətəndaşlıq: Azərbaycan
Milliyyəti: Azərbaycanlı
Elm sahəsi: Yarımkeciricilər və dielektriklər fizikası
İş yeri: Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası Fizika İnstitutu
Elmi dərəcəsi: fizika-riyaziyyat elmləri doktoru professor
Elmi vəzifəsi: Aparıcı elmi işçi
Təhsili: Ali
Atası: Məmmədəli Axundov
Anası: Mərquşə Axundova
Mükafatları: = “İxtiraçılıq Sahəsində Nailiyyətlərinə görə IV Respublika Müsabiqəsi” diplomu

Həyatı[redaktə | əsas redaktə]

• Elmi əsərlərinin sayı- 545 • Xaricdə dərc olunan əsərlərinin sayı- 340 • Beynəlxalq bazalarda indeksləşən jurnallarda (Web of Science, Scopus və s.) dərc olunan əsərlərinin sayı - 160 • Monoqrafiya və kitablarının sayı- 1(708səh) • Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı- 23 • Elmi-pedaqoji fəaliyyəti- 1963-1965 Azərbaycan Texniki Universiteti; müəllim • Dil bilikləri - Azərbaycan, Rus dillərini sərbəst bilir, İngilis dillini orta

Əsas elmi nəticələri[redaktə | əsas redaktə]

1. Bərk məhlulların tərkibinin onların fiziki xassələrinə təsirinin analizi göstərdi ki, keçid metallarının miqdarının artması ilə qadağan olunmuş zonanın eni artır və eksiton enerjisinin maksimumuna uyğun gələn qiyməti xətti olaraq artır. Bundan başqa rentgenkeçiricilik 2÷3 dəfə artması müşahidə olunur və faza keçidlərinə uyğun temperatur aşağı oblastlara doğru yerini dəyişir. 1,8K temperaturda TlGaS2 monokristalında eksiton lüminesensiya udulma və kombinasyon səpilmə spektri tədqiq olunmuşdur. 2,48-2,54ev intervalında çoxzolaqlı fotolüminisensiya müəyyən edilmişdir ki, bu da çəp eksitonun fononları emissiya etməsi rekombinasiya şüalanması əsasında izah olunur. Düz eksitona uyğun gələn eksitonun energetik vəziyyəti (2,606eV) və çəp eksitona uyğun gələn (2,540eV) enerji təyin edilmişdir.

2. TlGa1-xFexS2 monokristalında λ- modulyasiya modulyasiya metodu ilə tədqiqi nəticəsində eksiton udulma oblastında müəyyən edilmişdir ki, GaFe (1-2 at%) əvəzləməsi nəticəsində eksiton zolağının sürüşməsi baş verir. Fe atomlarının konsentrasiyası artdıqca eksiton piki udulma sərhəddində itir. Bu monokristallarda laylar arası əlaqənin güclü dəyişməsi ilə izah olunur.

3. TlIn1-xFexS2 (x=00,01) monokristalında In atomlarının Fe atomları ilə qismən əvəz olunması nəticəsində alınmış nəticələr göstərdi ki, x-in artması ilə fotokeçiriciliyin sərhəddi daha uzundalğalı oblasta döğru yerini dəyişir (826nm-dən 1127nm-ə qədər), seqnetoelektrik faza keçidinə uyğun gələn temperatur 200K-dən 185K-ə doğru sürüşür, fonon spektri isə 250÷350sm-1 oblastında dəyişikliyə məruz qalır.

4. A3B6; A3B3C26 və onların bərk məhlulları olan [ (TlGaSe)1-x(TlInSe2)x; Tl(GaS2)1-x(InSe2)x; Tl(InS2)1-x(FeSe2)x; TlGa1-xFexS2] monokristalların rentgenkeçiriciliyi və rentgendozimetrik xarakteristikalarının xüsusiyyətləri öyrənilmişdir. Nəticədə bu maddələrin rentgen şüalarının detektorları üçün aktiv element kimi praktik istifadəsinin perspektivliyi müəyyən edilmişdir. TlGaS2 monokristalında Ga–un Cr–la qismən əvəz edilməsi monokristalların rentgenhəssaslıq əmsalının 2,54,0 dəfə yüksəldilməsinə səbəb olur, alınmış nəticələr göstərir ki, tədqiq olunmuş TlGaS2<Cr> monokristalları yüksək rentgen həssaslıqla xarakterizə olunur və soyudulmasına ehtiyac olmayan rentgendetektorların aktiv elementi kimi tədqiq oluna bilər. 5. Alınan nəticələr TlGаS2<Yb> monokristalları əsasında spektrin geniş infraqırmızı oblastında işləyən fotogəbuledicilər və həssas rentgendetektorlar hazırlamaq üçün perspektivlidir.

6. Üç komponentli yarımkeçiricilərin А3В3С26 (TlInSe2, TlGaSe2) və onların əsasında hazırlanan fotodiodların fotoelektrik xassələrinə sərt şüaların təsiri öyrənilmişdir. TlInSe2 kristallarında akustofotovoltaik effekt aşqar edilmişdir. Müəyyən edilmişdir ki, eninə səs dalğalarının tetroqonal ox istiqamətində (001) yayılması e.h.q.-nin idarə olunmasına səbəb olur. Alınmış (TlInSe2)х(TlInS2)1-х (0х1) monokristallarında pyezorezistiv effekti tədqiq edilmişdir. Göstərilən kristalların elektrik keçiriciliyinə bir ox istiqamətində təzyiqin təsiri (sıxılma və dartılma ) öyrənilmişdir və göstərilmişdir ki, bu kristallardan yüksəkhəssaslı tenzodatçik düzəltmək olar.

7. TlFeS2 və TlFeSe2 monokristallarında maqnit qavrayıcılığı öyrənilmişdir. Göstərilmişdir ki, bu maddələr üçün maqnit momentləri zəncirlərin eninə yönəlmişdir. Hər iki monokristalların keçiriciliyi yarımkeçirici xarakterə malikdir, yüksək temperaturlu maqnit qavrayıcılığı isə metallik xarakter daşıyır. Tl-Fe, Tl-Co, Tl-Ni və Tl-Mn alınmış və onların maqnit elektrik və termoelektrik xassələri öyrənilmişdir.

8. Müəyyən edilmişdir ki, TlInSe2 və TlGaTe2 monokristalların 4MeV enerjili və 1016sm-2 dozalı elektronlarla şüalandırılması nəticəsində 90-320K temperatur intervalında xüsusi elektrik keçiriciliyi və dielektrik nüfuzluluğunun azalmasına və faza keçidlərinə uyğun piklərin qismən yastılaşmasına gətirib çıxarır, şüalanma TlInSe2 (T1=135K, T2=185K, T3=235K) və TlGaTe2-də (T1=98,5K, T2=180K) faza keçidi temperaturlarına təsir etmir.

9. Tl(InS2)1-x(FeSe2)x (x=0; 0,005; 0,01; 0,015) bərk məhlullarında maqnitlənmənin tərkib, temperatur və xarici maqnit sahəsindən asılılıq qanunauyğunluqları müəyyən edilmişdir. Gostərilmişdir ki, bərk məhlullar x-in sıfır qiymətində güclü maqnit sahəsində qlobal histerezisli supermaqnit, x-in 0,005 qiymətində (T≤115K) maqnit nizamlılıq formalaşır, x≥0,01 tərkiblərində isə supermaqnit halında olurlar.

10. Göstərilmişdir ki, TlFe1-xGaxS2(x=0; 0,05; 0,1) bərk məhlullarında dəmir ionları qismən Ga ionları ilə əvəz edildikdə maqnit faza keçidlərinin temperaturu uyğun olaraq 130K-dən 100K-ə, 175K-dən 140K-ə qədər, struktur faza keçidi 220K-dən 180K-ə kimi azalır. TlIn1-xErxS2 (x=0,001; 0,005; 0,01) erbiumun konsentrasiyasının artması qadağan olunmuş zonanın enini daralırdır və eksiton pikini 120K–də 25meV uzundalğalı oblasta doğru sürüşdürür.

11. Aşağı temperaturlarda (100–200K) TlGa1-xSbxS2 (x=0,005) kristallarının qadağan olunmuş zonasının eni təyin olunmuşdur. Göstərilmişdir ki, TlGa0,03Sb0,97S2 kristalının fotohəssaslığı TlSbS2 ilə nisbətən yüksəkdir və həssaslıq oblastı qısadalğalı tərəfə 83meV genişdir.

12. Müəyyən edilmişdir ki, TlInSe2-TlSbSe2 və TlInSe2-AgInSe2 bərk məhlullarında In atomlarının Sb və Ag-la əvəz olunmasında yaranan aşqar fotokeçiriciliyi və qadağan olunmuş zonanın eninin dəyişməsi fotohəssaslığın qiymətinin bir tərtib artmasına, spektral diapazonun infraqırmızı oblasta doğru 0,2-0,3eV genişlənməsinə, rentgenhəssaslığın ikiqat artmasına, və rentgen-amper xarakteristikasının xəttiliyinə gətirir.

Əsas elmi əsərləri[redaktə | əsas redaktə]

1. G.D.Guseiniov, E.Mooser, E.M.Kerimova et al. On some properties of TlInS2(Se2,Te2) single crystals, Phys. Status solidi, 1969, V.34, № 1, P.33-33.

2. E.M.Kerimova, S.N.Mustafaeva, D.A.Guseinova, I.Efendieva, T.S.Mamedov, Z.Salaev, K.Allakhverdiev. The influence of hydrostatic pressure on the electrical conductivity and optical properties of chain-layered TlInSe2-TlInS2 solid solutions, Phys. Stat. Sol.(a), 2000, V.179, p.199-203.

3. Z.Seidov, H.A.Krug von Nidda, J.Herberger, A.Loidl, G.Sultanov, E.Kerimova, A.Panfilov. Magnetic susceptibly and ESR study of the covalent-chain antiferromagnets TlFeSe2, Phys. Rev. B, 2001, Vol.65, p.014433-1-7.

4. E.M.Kerimova, S.N.Mustafaeva, A.I.Jabbarly, G.Sultanov, A.I.Gasanov, R.N.Kerimov. New magnetic semiconductors on the base of TlBVI-MBVI systems (Me-Fe, Co, Ni, Mn; B-S, Se, Te), Physics of Spin in Solids: Materials, Methods and Applications. NATO Scienes: II Mathematics, Physics and Chemistry, 2004, v.156, p.195-2006.

5. Э.М.Керимова, С.Н.Мустафаева, А.Б.Магеррамов. Влияние примесей Ag, Cu, Sn на электрические и фотоэлектрическме свойства TlInSе2, Изв. РАН, серия Неорган. материалы, 1997, т.33, №11, с.1325-1327.

6. E.M.Kerimova, S.N.Mustafaeva, Yu.G.Asadov, R.N.Kerimov. Synthesis, growth and properties of TlGa1– xYbxS2 crystals, Crystallography Reports, 2005, V.50, Suppl. 1, P.S122–S123.

7. E.M.Kerimova, G.D.Guseinov, F.I.Mamedov. Physical and chemical analysis and diagrams of state in AIB3C26- TlB3C26 systems, Turkish Journal of Physics,Turkey, 1997, Vol.21, №2, pp.225-231.

8. F.A.Mikailov, S.Kazan, B.Z.Rameev, A.M.Kulibekov, E.M.Kerimova, B.Aktash. Twinned EPR spectra of Fe3+ centers in ternary layered TlGaS2 crystal. Solid State Communications, 2006, V.138, pp.239-241.

9. M.Yu.Seyidov, E.M. Kerimova, R.K.Veliyev, R.N.Kerimov, F.A.Mikailov. Phase relations in ferroelectric/ferromagnetic TlInS2-TlCoS2 and TlGaSe2-TlCoSe2 systems. Journal of Alloys and Compounds, 453, 2008, p. 503-507

10. A.M.Ulubey(Kulubey), E.A.Gunay, T.K.Baykara, D.A.Huseynova, .A.Nizametdinova. E.M.Kerimova, Z.Yu. Salayeva Lattice dynamics of ternary antiferromagnetic TlFeS2 crystal. Journals of Optoelectronics and advanced materials- Symposia .2009 vol 1, №3, P.301-304.

11. Mustafaeva S.N., Gasymov Sh.G., Kerimova E.M., Asadov M.M. Electrical properties of TlGaTe2 single crystals under hydrostatic pressure // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2011. v.72. № 6. P. 657-660.

12. Шелег А.У.,Зуб Е.М., Ячковский А.Я., Мустафаева С.Н., Керимова Э.М. Рентгенографические исследования кристаллов системы (TlInSe2)1-x(TlGaTe2)x // Кристаллография, 2012, т.57, №2, с.332 ¬¬¬- 334.

13. Pashaev A.M., Mustafaeva S.N., Керимова Э.М. Dielectric coefficients and conductivity of TlErTe2 crystal in alternate electric fields. Azerbaijan Journal of Physics, 2013, V.XIX, No2, Section: En, p.43–45.

14. Шелег А.У., Шевцова В.В., Гуртовой В.Г., Мустафаева С.Н., Керимова Э.М. Низкотемпературные рентгенографические исследования монокристаллов TlInS2, TlGaS2 и TlGaSe2 // Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2013, №11, c. 39–42.

15. R.G. Veliyev,Mir-Hasan Yu. Seyidov, E.M. Kerimova, N.Z. Gasanov, R.Z. Sadikhov, Yu.G. Asadov, F.M. Seyidov. Phase Transitions and their co-existence in the TlGaSe2-TlCrS2(Se2) system. Bull. mater. Sci., 2013, v.36, No4, pp.693-698. IF 0.584

16. Аскеров Э.Б., Мададзада А.И., Бескровный А.И., Исмаилов Д.И., Мехдиева Р.Н., Джабаров С.Г., Керимова Э.М., Неов Д. Нейтронографическое исследование TlFeS2 и TlFeSe2 при низких температурах // Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные и Нейтронные Исследования. 2014. №12. С.1-6.

17. Аскеров Э.Б., Тоан Д.Н., Бескровный А.И., Мададзада А.И., Исмаилов Д.И., Мехдиева Р.Н., Джабаров С.Г., Керимова Э.М. Магнитная структура в халькогенидах TlFeS2 и TlFeSe2 // ФТП, т.49, вып.7, 2015, с. 899-903.

18. Mustafaeva S.N., Kerimova E.M., Gasanov A.I. Synthesis, Roentgenophase Analysis and Physical Properties of TlIn1−xErxSe2 Solid Solutions // Acta Physica Polonica A. 2015. V. 128. № 4. P. 697-699.

19. M.Kulik, Э.Б.Аскеров, А.И.Мададзада, A.Olejniczak, Д.И.Исмаилов, Р.Н.Мехдиева, А.И.Бескровный, В.К.Семина, В.А.Скуратов, А.А.Сафарзаде, Э.М.Керимова. Влияние облучения ионами ксенона с энергией 167 МэВ на структуру и свойства поверхности TlFeS2. Поверхность, 2016. T.19, №3, с. 115-120.

20. Mustafaeva S.N. Jafarova S.G. Kerimova E.M., Gasanov N.Z., Asadov S.M.Influence of the Composition of Tl(GaS2)1–x(InSe2)x //Alloys on Their Physical Properties // Mechanics, Materials Science Engineering, 2017. V 7. 7 pages.

Elmi-təşkilati fəaliyyəti[redaktə | əsas redaktə]

Fizika institutunun şura üzvi kimi elmi-təşkilatda fəaliyyət göstərir.

Təltif və mükafatları[redaktə | əsas redaktə]

2002-ci ildə Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasının Fəxri Fərmanına layiq görülmüşdür; ABŞ Bioqrafiya İnstitutyu tərəfindən "2001 və 2002-ci i illərin beynəlxalq qadını" adına layiq görülmüşdür; 2008-2016-ci ildə Amerika Bioqrafiya İnstitutu “Dünyanın aparıcı intellektualları” adına layiq görülmüşdür.