Pfann yaxınlaşması

Vikipediya, açıq ensiklopediya
Jump to navigation Jump to search

Pfann yaxınlaşması[redaktə | əsas redaktə]

Müxtəlif üsullarla göyərdilmiş bərk məhlul kristallarında və ərintilərdə komponentlərin aksial konsentrasiya profilini izah etmək üçün Pfann yaxınlaşması istifadə edilir. Pfann yaxınlaşması o zaman istifadə olunur ki, aşağıdakı standart şərtlər ödənilir:

  1. Faza bölməsi müstəvisinin səthinə paralel kəsiklərdə kristallaşma cəbhəsi düz olur;
  2. sisteminin faza hal diaqramı ilə təyin olunan bərk ve maye fazalar arasında kristallaşma cəbhəsində tarazlıq mövcuddur;
  3. ərintidə komponentlərin diffuziyası bütün həcm üzrə maye fazanın tərkibinin eyniliyini təmin edən sürətlə baş verir;
  4. sistemin atomlarının bərk maddədə diffuziyası ərintidəkinə nisbətən nəzərə alınmayacaq dərəcədə kiçikdir.

Məsələn, bu şərtlər Ge-Sı bərk məhlul kristallarına üçün praktiki olaraq kristalların 5mm /saatdan kiçik sürətlərlə göyərdilməsi zamanı ödənir.[1]


İstinadlar[redaktə | əsas redaktə]