Adil Abdullayev

Adil Abdullayev

Adil Abdullayev Polad oğlu — Azərbaycan alimi, fizika üzrə elmlər doktoru.

Həyatı

Abdullayev Adil Polad oğlu  30 mart 1969-cu ildə Ağstafa rayonunun Poylu kəndində anadan olub. Azərbaycan Dövlət Universitetinin (Bakı Dövlət Universiteti) Fizika fakültəsini bitirib. AMEA-nın Radiasiya Problemləri İnstitutunun baş elmi işçisi, dosenti, fizika üzrə elmlər doktorudur. Heydər Əliyev adına Azərbaycan Ali Hərbi Məktəbində müəllimlik fəaliyyəti ilə məşğuldur (Riyaziyyat və Fizika kafedrası).

“TlS və TlIn_1-xR_x S₂ (R_x=Fe, Ge, Au, Si) bərk məhlulunun polimorf modifikasiyalarının dielektrik xassələrinin və qəfəs dinamikasının əsas xüsusiyyətləri”  mövzusunda namizədlik dissertasiyası işini müdafiə edərək 01.04.10-  “Yarımkeçirici və dielektriklər fizikası” üzrə Fizika-riyaziyyat elmləri namizədi alimlik dərəcəsini, sonra isə dosent elmi işini adını almışdır.

Elmi fəaliyyətini davam etdirərək  “Radiasiya təsirinə məruz qalmış А³В⁶ və А³В³С₂⁶ qruplu zəncirvari kristallarda dielektrik relaksasiyasının və keçiriciliyin xüsusiyyətləri” mövzusunda doktorluq dissertasiya işini müdafiə edərək  “Radiasiya materialşünaslığı” və “Yarımkeçiricilər fizikası” ixtisaslarında fizika elmləri üzrə elmlər doktoru elmi dərəcəsi alıb.

Respublika və Beynəlxalq konfranslarda (Bakı, Ulyanovsk, Almatı, Maxaçqala, Moskva, Honq Konq, Ankara, İspaniya, Minsk, Florida, Voronej, Kişinyov, Kipr, Norveç, Daşkənd və s. şəhərlərdə) müzakirə olunmaqla yanaşı, eyni zamanda xarici mətbuatda “Science index”-nə aid olan jurnallarda (Rusiya, ABŞ, Fransa, Türkiyə, Yaponiya, Qazaxıstan, Ukrayna və s. kimi onlarla xarici ölkə mətbuatlarında) dərc olunmuş 130 elmi əsərin və 4 kitabın müəllifidir.

Rəhbərlik etdiyi elmi layihələr “Sabahın alimləri” IV və V Respublika müsabiqələrində fizika-astronomiya elmləri nominasiyası üzrə 2015-ci ildə birinci və 2016-cı ildə isə ikinci yeri qazanmış və münsiflər heyətinin birgə rəyi ilə, Azərbaycanı 70-dən artıq ölkə içərisində ABŞ-da keçirilən ənənəvi Intel ISEF-Intel Beynəlxalq Elm və Mühəndislik Sərgisində təmsil etmişdir.

Əsas elmi nailiyyətləri

Abdullayev Adil Polad oğlu elektrik sahəsi və γ-radiasiyanın təsirinə məruz qalmış A³B⁶ və A³B³C₂⁶ qruplu kristallarda elektrik keçiriciliyinin və superion keçiriciliyinin, dielektrik relaksasiyasının, “S”-şəkilli çevirmə və yaddaş hadisəsi mexanizmlərini müəyyənləşdirmişdir.

Əsas elmi əsərləri

1. Сардарлы Р.М., Абдуллаев А.П., Гусейнов Г.Г., Наджафов А.И., Эюбова Н.А. Полиморфизм и фазовые переходы в TlS. Кристаллография. М. 2000, том.45, №4, с.606-610.

2. А.И. Наджафов, Г.Г. Гусейнов, О.З. Алекперов, Р.М. Сардарлы, А.П. Абдуллаев, Н.А. Эюбова. Полиморфное превращение в TlSe и электрофизические свойства фаз. Кристаллография. М. 2008, том. 53, № 5, с. 864-868.

3. Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Э.К. Гусейнов, Ф.Т. Салманов, Г.Р. Сафарова. Особенности проводимости γ-облученных кристаллов TlGaTe2 с наноцепочечной структурой. Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, вып. 5. с. 610-614.

4. Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Э.К. Гусейнов, Э.М. Годжаев,Ф.Т. Салманов. Суперионная проводимость в кристаллах TlGaTe₂. Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, вып. 8. с. 1009-1013.

5. Rauf Sardarly, Oktay Samedov, Adil Abdullayev, Famin Salmanov, Andzej Urbanovic, Fre´de´ ric Garet, Jean-Louis Coutaz. Superionic Conductivity in One-Dimensional Nanofibrous TlGaTe₂Crystals Japanese Journal of Applied Physics 50 (2011) 05FC09-1 - 2

6. Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Ф.Т. Салманов, О.З. Алекперов, Э.К. Гусейнов, Н.А. Алиева. Суперионная проводимость, эффекты переключения и памяти в кристаллах TlInSe₂ иTlInTe₂. Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, вып. 11, с. 1441-1445.

7. Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Э.К. Гусейнов, Ф.Т. Салманов, Н.А. Алиева, Р.Ш. Агаева. Ионная проводимость и диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaTe₂ облученных γ – квантами. Физика и техника полупроводников, 2013, т. 47, в. 5. с. 696-701.

8. Наджафов А.И., Алекперов О.З., Гусейнов Г.Г., А.П. Абдуллаев. Получение и свойства твердого раствора (TlInSe₂)0,96Se0,04. Неорганические материалы. 2012, № 12, т. 48, с. 1309-1313

9. Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Ф.Т. Салманов. Ионная проводимость и диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaTe₂ облученных γ–квантами. Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, в. 5, с. 696-701.

10. Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Н.А. Алиева, Э.К. Гусейнов, И.С. Гасанов, Ф.Т. Салманов. Поляризация, вызванная объемными зарядами, и ионная проводимость в кристаллах TlInSe₂. Физика и техника полупроводников, 2014, т. 48, в. 5, с. 442-447.

11. Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Ф.Т. Салманов. Гигантская диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaTe₂. Физика твердого тела. 2011. том. 53. вып. 8. с. 1488-1492